英特爾推全球首創(chuàng)3D晶體管技術

來源：Engadget 瀏覽數(shù)：
責任編輯：王梓時間：2012-12-24 10:18

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[導讀]Intel剛宣布他們的一項新技術，名為Tri-Gate（暫譯：三閘極）的全球首創(chuàng)3D晶體管技術，并且宣稱這項技術可以讓Intel再度突破摩爾定律。

原標題：英特爾即將推出3D晶體管從22nm的Ivy Bridge開始

英特爾推全球首創(chuàng)3D三晶體管技術

3D IC在半導體業(yè)界已經不算稀奇，不過3D架構的晶體管聽起來似乎威很多？Intel剛宣布他們的一項新技術（PTT有版友說這技術很古老了），名為Tri-Gate（暫譯：三閘極）的全球首創(chuàng)3D晶體管技術，并且宣稱這項技術可以讓Intel再度突破摩爾定律。據稱Tri-Gate相較現(xiàn)在的32nm制程所采用的2D晶體管技術，可以降低至少50%的功耗，并且提升37%在低電壓下的效能，還能讓芯片尺寸持續(xù)縮小，目前這項技術預計會提高2～3%的成本，不過未來隨著摩爾定律，價格一定只會更便宜。

這項3D晶體管技術預計會先造福新一代22nm制程的IVY Bridge平臺的處理器，未來還會持續(xù)使用到如Atom以及服務器處理器以及云端處理器產品線。為了繼續(xù)實現(xiàn)摩爾定律，Intel已經規(guī)劃要在2013～2015年推出14nm以及10nm。簡單來說，半導體架構光是平面發(fā)展已經很難突破，只好蓋摩天大樓往上發(fā)展了？不過根據PTT那位版友的說法，Intel這項技術不是蓋大樓，比較像是國軍的折棉被豆干XDD。（更多3D資訊，盡在web3D納金網http://www.trusteddivorcelawyers.com/）

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